從2008年問世以來,憶阻器便吸引了研究人員的廣泛關(guān)注,其高密度、低功耗以及電阻可調(diào)的優(yōu)勢彰顯了它在突觸模擬器領(lǐng)域的巨大潛力。迄今為止,具備憶阻行為的材料主要可以分為以下三種:

(1)無機(jī)晶體材料(包括TiO2、ZnO等),這一類材料熱穩(wěn)定性較好,但是機(jī)械柔性差且制備工藝復(fù)雜。

(2)有機(jī)小分子材料(Alq3、染料等),柔韌性優(yōu)良,制備條件溫和,但是熱穩(wěn)定性及環(huán)境穩(wěn)定性較差。

(3)有機(jī)-無機(jī)復(fù)合材料(通常情況下,以無機(jī)納米材料為客體,有機(jī)聚合物材料為主體進(jìn)行摻雜、復(fù)合),這一類材料兼具了較好的穩(wěn)定性與柔性,然而在制備過程中需要克服相分離的問題。

大量的研究表明,優(yōu)異的柔韌性與極佳的環(huán)境穩(wěn)定性類似魚與熊掌,難以兼得,極大的限制了憶阻器件在新型領(lǐng)域如可拉伸顯示、智能皮膚等方向上的應(yīng)用。

鑒于此,蘇州大學(xué)賀競輝、路建美團(tuán)隊(duì)開創(chuàng)性的設(shè)計(jì)制備了一種全無機(jī)的離子聚合物材料多磷酸銨(APP),APP由多磷酸主鏈和側(cè)鏈的銨離子組成,兼具了聚合物鏈的柔韌性和離子鍵的高穩(wěn)定性?;贏PP材料制備的憶阻器件在時(shí)長僅20?ns,幅值為0.1?V以及高達(dá)10000次的電脈沖周期下表現(xiàn)出優(yōu)異的突觸行為。此外,該器件可以在360°的彎曲條件下正常工作,其電學(xué)性能在經(jīng)過60秒的燃燒和高達(dá)5.6?kGy的伽馬射線輻射下仍然能夠保持,在可重構(gòu)射頻系統(tǒng)、極端環(huán)境電子、生物仿真系統(tǒng)等領(lǐng)域表現(xiàn)出極大的應(yīng)用潛力。該研究以題“All-inorganic ionic polymer-based memristor for high-performance and flexible artificial synapse”的論文發(fā)表在最新一期《Advanced Functional Materials》上。

蘇大路建美、賀競輝《AFM》:火燒、輻射都不怕,全無機(jī)離子聚合物憶阻器實(shí)現(xiàn)高性能柔性人工突觸

【神經(jīng)突觸與憶阻器件的結(jié)構(gòu)】

突觸指的是人類大腦中軸突和樹突之間的間隙,承載著信息傳遞的功能(圖1a)。作者以APP為憶阻介質(zhì)(圖1c),旋涂制備了兩端式的憶阻器件(Au/APP/ITO,圖1b)來模擬突觸的結(jié)構(gòu)。由于不同的退火溫度會(huì)導(dǎo)致APP薄膜結(jié)晶程度上的差異,作者選取了100℃作為退火溫度。界面的SEM圖片表明器件具有分明的層狀結(jié)構(gòu)(圖1d)。相較于APP粉末,退火后的APP薄膜表面光滑緊湊,其表面氨基基團(tuán)的增加更加有利于離子的遷移,賦予了器件良好的電學(xué)性能。

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圖1.?人類突觸與基于APP材料的憶阻器件的結(jié)構(gòu)

 

【憶阻器件模擬人類突觸行為】

在連續(xù)的正/反向電壓掃描中,隨著掃描次數(shù)的增加,器件的電流呈現(xiàn)連續(xù)降低的趨勢,表現(xiàn)出了明顯的憶阻行為(圖2a,b,c)。為了模擬人類大腦中突觸間傳遞信息這一瞬時(shí)行為(50 ms),作者進(jìn)一步采用了納秒級別的電脈沖對憶阻器件的電學(xué)性能進(jìn)行表征。結(jié)果顯示,器件的突觸行為對所施加的電脈沖的幅值、間隔以及寬度具有極大的依賴性,具體表現(xiàn)為,幅值越大(-0.4 V),寬度越長(20000 ns),間隔越短(20 ns),器件的電阻值變化的越大。該器件的響應(yīng)時(shí)間、持續(xù)時(shí)間以及轉(zhuǎn)變速率都滿足了模擬人類突觸的要求。

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圖2.憶阻器件的憶阻特性和對人類突觸行為的模擬

 

【憶阻器件突觸可塑性研究】

當(dāng)接受到刺激時(shí),人類突觸在刺激結(jié)束后的一段時(shí)間內(nèi)仍然能夠保持興奮,即興奮性突觸后電位和興奮性突觸后電流(EPSC)。作者采用幅值為1-10V的電脈沖對器件進(jìn)行刺激,發(fā)現(xiàn)器件的電流及時(shí)響應(yīng),并在電壓出發(fā)結(jié)束后仍然維持了幾納秒的時(shí)間,成功實(shí)現(xiàn)了EPSC的功能(圖3a)。通過對連續(xù)電脈沖刺激下器件的電流反應(yīng)數(shù)據(jù)進(jìn)行擬合,還獲得了器件的突觸權(quán)重變化曲線(圖3b)。值得關(guān)注的是,通過對器件進(jìn)行高達(dá)10000次的電脈沖刺激,器件的電流值表現(xiàn)出了長程抑制的趨勢(圖3c,d)。此外,通過對電脈沖施加的時(shí)間進(jìn)行調(diào)控,器件成功的重現(xiàn)了人類突觸中的峰時(shí)依賴可塑性(STDP)規(guī)則(圖3e)。

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圖3.?憶阻器件對人類突觸可塑性的重現(xiàn)

【憶阻器件的柔性及環(huán)境穩(wěn)定性】

由于APP材料本身良好的柔性、無毒、透明以及生物可降解等特性,制備出的憶阻器件表現(xiàn)出了優(yōu)異的柔性(360°彎曲,圖4a)、透明可貼附(圖4b,c)、生物降解(圖4d,e)等功能。重要的是,即使在極端的工作環(huán)境下,包括95%的濕度環(huán)境,高強(qiáng)度的伽馬射線輻射(圖4j)甚至置身火焰中(圖4k),器件都能夠維持良好的工作特性,證明了器件極為優(yōu)異的環(huán)境穩(wěn)定性。

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圖4.憶阻器件的機(jī)械性能與極端環(huán)境耐腐蝕性能

 

【器件憶阻行為的機(jī)理】

為了揭示器件憶阻行為的原理,作者在APP憶阻層與金電極之間插入了一層僅允許質(zhì)子或陽離子通過的電解質(zhì)層,并采用了C-AFM和KPFM等手段進(jìn)行探究。結(jié)果顯示,器件的憶阻行為主要源于電場引起的電子/空穴注入到APP薄膜中,導(dǎo)致薄膜中質(zhì)子與銨根的分離和遷移,從而實(shí)現(xiàn)了對器件電阻的連續(xù)調(diào)控(圖 5)。

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圖5.?憶阻器件阻變機(jī)理探究

總結(jié):作者設(shè)計(jì)制備了兼具高柔性與環(huán)境穩(wěn)定性的全無機(jī)聚合物材料APP并將其應(yīng)用于憶阻器件,成功重現(xiàn)了包括STDP、EPSC等人類突觸的行為。同時(shí),該器件具備優(yōu)異的生物兼容性和環(huán)境友好性,能夠工作在各類極端環(huán)境下,彰顯了其在未來綠色電子、生物系統(tǒng)仿真以及神經(jīng)形態(tài)計(jì)算等領(lǐng)域巨大的應(yīng)用潛力。

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