鐵電材料的偶極子排列有序化程度直接關(guān)系到電荷基器件的輸出性能。傳統(tǒng)的鐵電聚合物,如聚偏氟乙烯(PVDF)及其共聚物在高電場(chǎng)下具有較大的剩余極化強(qiáng)度,但當(dāng)環(huán)境溫度超過其居里點(diǎn)時(shí),PVDF聚集態(tài)結(jié)構(gòu)就會(huì)發(fā)生相變,即從鐵電相轉(zhuǎn)變?yōu)轫橂娤?,使其剩余極化強(qiáng)度大大降低?;诖?,奇數(shù)類聚酰胺類聚合物,特別是尼龍-11,不僅具有與PVDF相似的鐵電性,更重要的是,該材料含有豐富的芳香環(huán)及氫鍵,具有良好的高溫穩(wěn)定性。尼龍-11作為鐵電聚合物使用時(shí),不可避免地需要調(diào)整其偶極子的規(guī)整度,以獲得良好的電荷輸出性能。通常情況下,鐵電聚合物只有在外加電場(chǎng)的條件下才能實(shí)現(xiàn)偶極子的偏轉(zhuǎn),但采用傳統(tǒng)的高壓電極化法是無(wú)法使尼龍-11聚集態(tài)結(jié)構(gòu)中的α相中偶極子擺脫緊密堆積的氫鍵而發(fā)生偏轉(zhuǎn),這就是尼龍-11中的α相被稱為“極性”但“非鐵電”相的主要原因。

【研究成果】

近日,英國(guó)劍橋大學(xué)Sohini Kar-Narayan教授課題組在聚合物基能量收集領(lǐng)域取得重要進(jìn)展。該工作利用納米限域效應(yīng),即熱輔助納米模板滲透法(TANI),在不需要外加電場(chǎng)的情況下,自發(fā)地獲得了具有高度偶極排列的α相尼龍-11納米線。并通過分子模擬確定了α相尼龍-11的剩余極化值Pr。另外,作者還發(fā)現(xiàn)α相尼龍-11中的強(qiáng)氫鍵有助于提高分子鏈的有序性,在氫鍵的作用下尼龍-11具有異常高的表面電位值和熱穩(wěn)定性。在能量收集方面,α相尼龍-11納米線基器件顯示出更高的輸出性能,其JSC峰值約為74 mA m-2,是Al基摩擦發(fā)電機(jī)的34倍,這一發(fā)現(xiàn)對(duì)摩擦發(fā)電機(jī)領(lǐng)域有著深遠(yuǎn)的意義。該工作以標(biāo)題“Unprecedented dipole alignment in α-phase nylon-11 nanowires for high-performance energy-harvesting applications” 發(fā)表于高分子領(lǐng)域重要期刊Science Advances上。文章的第一作者是劍橋大學(xué)的Yeon Sik Choi博士,劍橋大學(xué)Sohini Kar-Narayan教授為本文的通訊作者。

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【工作亮點(diǎn)】

1:作者利用尼龍-11中的氫鍵來(lái)實(shí)現(xiàn)分子鏈上偶極子的有序化排列,提高尼龍-11的超高電位值和熱穩(wěn)定性。

2:通過熱輔助納米模板滲透法制備α相尼龍-11納米線,從納米尺度來(lái)控制偶極子的有序化。

3:該工作為設(shè)計(jì)高功率密度、高熱穩(wěn)定性的柔性摩擦發(fā)電機(jī)領(lǐng)域提供了良好的策略。

【圖文解讀】

分子鏈結(jié)構(gòu)分析

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圖1 尼龍-11的分子鏈結(jié)構(gòu)和鏈堆砌圖。(a, d) 尼龍-11單體單元分別沿c軸和b軸在非極性δ′相的尼龍-11中的排列。所有的分子都是隨機(jī)取向的; (b, e) 極性δ′相的晶體結(jié)構(gòu)和分子堆砌,圖中氧原子都朝同一個(gè)方向; (c, f) 尼龍-11中α相的晶體結(jié)構(gòu)。

 

對(duì)于半晶型的尼龍-11中主要存在三種晶體結(jié)構(gòu),分別是三斜、單斜和偽六角形晶系。其中僅有偽六角形晶系中的δ′相具有鐵電性。通常情況下,通過機(jī)械拉伸和高壓電極化使得分子鏈偶極子旋轉(zhuǎn),使酰胺基指向同一方向,從而產(chǎn)生凈偶極矩。而α相在三斜晶胞中具有良好的規(guī)整性,而無(wú)需拉伸或高壓極化迫使偶極子翻轉(zhuǎn)。然而,值得注意的是,α相的這種單向偶極矩僅限于局部晶區(qū),并且在晶化過程中,這些晶區(qū)的凈極化方向是隨機(jī)確定的。此外,即使電場(chǎng)超過其擊穿電場(chǎng),也不可能將α相結(jié)構(gòu)中的每一個(gè)偶極子進(jìn)行有序化排列。為了評(píng)估尼龍-11中的最大極化強(qiáng)度,作者通過分子模擬來(lái)估計(jì)完全取向的δ′相和α相的理論剩余極化值。在一階近似下,Pr與偶極矩和結(jié)晶度成線性關(guān)系。對(duì)于最小的重復(fù)單元,分別得到了δ′相和α相的每單元88×10-30和101×10-30 C m的偶極矩。在δ′相完全取向的情況下,假設(shè)結(jié)晶度約為40%,計(jì)算出的Pr為3.2 μC cm-2,這與實(shí)驗(yàn)測(cè)定的約5.0 μC cm-2的值非常接近。

尼龍-11納米線物相及其形貌分析

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圖2 尼龍-11納米線的XRD譜圖。(a) 具有200nm微孔納米模板的SEM圖,插圖為納米模板的斷面圖;(b) 采用TANI方法合成納米線的SEM圖;(c) 左圖:用傳統(tǒng)的模板潤(rùn)濕(黑色)和TANI(紅色)方法制備的納米線的XRD圖。右上角:20°和24.2°時(shí)XRD峰的平均強(qiáng)度隨溶液濃度的變化。中間線和上下邊界分別表示平均值、中值、75%和25%;(d) α相尼龍-11薄膜(黑色)和納米線(NW)的XRD圖。插圖用散射矢量(q)顯示了樣品的形態(tài)和x射線束的方向;(e) 計(jì)算得到的(黑色)和實(shí)驗(yàn)觀察到的(紅色和橙色)α相尼龍-11納米線的XRD圖。

 

為了排列α相尼龍-11納米線中的偶極子,作者開發(fā)了TANI方法作為一種有效的控制技術(shù)。迄今為止,具有熱力學(xué)穩(wěn)定α相尼龍-11納米線從未通過傳統(tǒng)的模板潤(rùn)濕法獲得。在用弱酸溶解AAO后,檢測(cè)到寬度(200 nm)和長(zhǎng)度(60 μm)均勻的長(zhǎng)鏈狀納米線。這些納米線的尺寸與模板孔道的尺寸相似。與尼龍-11薄膜相比,納米線顯示出均勻光滑的表面形貌。據(jù)報(bào)道,α相尼龍-11薄膜在2θ為7.8°、20°和24.2°處出現(xiàn)衍射峰。然而,通過傳統(tǒng)的模板潤(rùn)濕方法制備的納米線發(fā)現(xiàn)在2θ為21.6°和22.8°處產(chǎn)生弱峰強(qiáng)度的衍射圖案。結(jié)果表明,傳統(tǒng)的納米限域方法無(wú)法制備出結(jié)晶度較好的α相尼龍11納米線。相比之下,TANI方法制備的納米線的衍射峰位與報(bào)道的α相尼龍-11薄膜具有一致性,具有比傳統(tǒng)方法制備的納米線具有更強(qiáng)的衍射強(qiáng)度。此外,TANI方法可以更精確地控制晶體結(jié)構(gòu),隨著溶液濃度的降低,2θ=24.2°處的相對(duì)強(qiáng)度逐漸降低。這是因?yàn)楦〉娜芤和ㄟ^增加聚合物鏈的自由體積使結(jié)晶速度進(jìn)一步降低。以上表明,采用TANI工藝可以獲得理想的α相尼龍-11納米線。

退后對(duì)其表面電位的影響

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圖3 表面電位分析。各種薄膜和納米線的表面電位圖。在165℃熱退火前(白條)和退火后(橙條)通過表面電位測(cè)量研究了納米線樣品的熱穩(wěn)定性。插圖展示了使用KPFM測(cè)量表面電位的方法。

 

為了研究α相尼龍-11納米線的表面電位,使用KPFM進(jìn)行了詳細(xì)的分析。雖然鐵電材料的Pr是通過極化-電場(chǎng)(P-E)鐵電回線得到,但由于非鐵電材料無(wú)法表現(xiàn)出這種滯回特性,因此不能用這種方法測(cè)量其凈偶極矩。相比之下,KPFM可以測(cè)量材料的表面電位,并且已經(jīng)證明凈偶極矩對(duì)表面電位的大小有貢獻(xiàn)。當(dāng)我們比較尼龍11納米線和未摻雜薄膜的表面電位時(shí),尼龍-11納米線顯示出比具有相同晶體結(jié)構(gòu)的薄膜更高的值。與相應(yīng)的薄膜樣品相比,δ′相和α-相尼龍-11納米線樣品的表面電位分別增加了2倍和30倍。這些結(jié)果表明,晶體生長(zhǎng)過程中的納米約束效應(yīng)有效地排列了偶極子,并在α-相尼龍-11納米線中產(chǎn)生了強(qiáng)大的凈偶極矩。必須注意的是,α相尼龍-11納米線的表面電位(576 mV)遠(yuǎn)高于δ′相尼龍-11納米線(395 mV)。這與分子模擬的Pr計(jì)算結(jié)果一致,表明TANI方法通過納米約束誘導(dǎo)的分子有序化在α相尼龍-11中產(chǎn)生了很強(qiáng)的表面電位。

摩擦對(duì)其表面電位的影響

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圖4 摩擦前后表面電位分析。(a和c)δ′相和(b和d)α相尼龍-11納米線。(a和b)AFM拓?fù)鋵W(xué)和摩擦前后的表面電位圖像。虛線正方形,摩擦區(qū)域。(c和d)摩擦前(黑方)和摩擦后(紅圓)表面電位的變化。

 

作者通過機(jī)械摩擦前后表面電位的變化來(lái)驗(yàn)證凈偶極矩引起的電荷積累能力的變化。這是因?yàn)楸砻嫔系睦鄯e電荷可以通過與其他材料接觸而轉(zhuǎn)移,并且AFM尖端在材料表面上的摩擦引起上述這種效應(yīng)。對(duì)于摩擦后,納米線的平均表面電位從510 mV下降到469 mV,表明納米線表面的累積電荷通過原子力顯微鏡針尖而轉(zhuǎn)移。在α相尼龍-11納米線經(jīng)過摩擦的情況下, 其表面電位發(fā)生了更大的變化。這些結(jié)果表明α相尼龍-11納米線由于其偶極排列使電荷積累能力最大化。與α相尼龍-11薄膜相比較,電荷轉(zhuǎn)移的增加可歸因于α相尼龍-11納米線中的偶極排列,而在相應(yīng)薄膜中則沒有偶極排列。

發(fā)電性能對(duì)比

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圖5 摩擦發(fā)電機(jī)性能。(a) 不同材料組合的摩擦發(fā)電機(jī)短路輸出電流密度;(b) 作為負(fù)載電阻函數(shù)的相同設(shè)備的功率密度。

 

由于α相尼龍-11納米線具有更好的電荷供給特性和偶極子排列效應(yīng),與Al基摩擦發(fā)電機(jī)相比,α相尼龍-11納米線基器件顯示出更高的輸出性能,其JSC峰值約為74 mA m-2,是Al基摩擦發(fā)電機(jī)的34倍。α相和δ′相尼龍-11納米線基器件的輸出功率比較表明,α相尼龍-11納米線緊密排列的分子結(jié)構(gòu)中更高的凈偶極矩有助于提高器件性能。必須注意的是,考慮到納米線的特性和能量收集裝置的設(shè)計(jì),這些能量收集性能不是來(lái)自壓電性,而是來(lái)自尼龍-11納米線的摩擦特性。在穩(wěn)定性方面,α相尼龍-11納米線基摩擦發(fā)電機(jī)在整個(gè)疲勞試驗(yàn)期間(約540000次循環(huán))和長(zhǎng)期可靠性試驗(yàn)期間(約2周)的輸出電流密度變化可以忽略不計(jì),分別證明α相尼龍-11納米線中偶極子排列的高機(jī)械穩(wěn)定性。必須注意的是,α相尼龍-11納米線的機(jī)械剛度遠(yuǎn)高于δ′相尼龍-11納米線的機(jī)械剛度,這是因?yàn)槠渚哂杏行驓滏I所致。以上意味著α相尼龍-11納米線裝置更適合用于摩擦型裝置,包括摩擦電能采集器。

【研究小結(jié)】

在本工作中,作者證實(shí)了α相尼龍-11納米線具有有序的晶區(qū)和較高的分子堆積密度,其凈偶極矩遠(yuǎn)高于極化鐵電相。此外,強(qiáng)氫鍵實(shí)際上有助于增強(qiáng)分子結(jié)構(gòu)的穩(wěn)定性,從而在接近熔融溫度時(shí)產(chǎn)生恒定的凈偶極矩。將α相尼龍-11納米線應(yīng)用到摩擦發(fā)電機(jī)后,其輸出功率分別是δ′相尼龍-11納米線和鋁基器件的3倍和34倍。這項(xiàng)工作為納米材料和納米制備方法提供了一個(gè)新的方法,為下一代高性能能量收集器件提供了新的思路。

全文鏈接:

https://advances.sciencemag.org/content/6/24/eaay5065

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