雜化納米線

電介質(zhì)電容器具有快速的充放電、高能量密度以及質(zhì)輕等優(yōu)勢(shì)，被廣泛用于先進(jìn)電子領(lǐng)域以及脈沖能量設(shè)備中。隨著電子電氣行業(yè)的飛速發(fā)展，人們對(duì)于電介質(zhì)電容器儲(chǔ)能密度的要求越來(lái)越高。通常情況下，一般從電介質(zhì)的介電常數(shù)和擊穿性能兩方面來(lái)提高電介質(zhì)的儲(chǔ)能密度。 因此，人們通常會(huì)考慮添加高介電無(wú)機(jī)填料來(lái)提高電介質(zhì)的介電常數(shù)來(lái)提高其儲(chǔ)能性能。但大量無(wú)機(jī)填料的添加會(huì)導(dǎo)致電場(chǎng)在電介質(zhì)中發(fā)生嚴(yán)重的畸變，勢(shì)必會(huì)削弱電介質(zhì)的擊穿性能，使其儲(chǔ)能密度始終無(wú)法得到有效提升。 近日，四川大學(xué)傅強(qiáng)教授課題組在聚合物基儲(chǔ)能電介質(zhì)領(lǐng)域取得…